Infineon IPU Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3 IPU95R750P7AKMA1
- N° de stock RS:
- 273-3023
- Référence fabricant:
- IPU95R750P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 273-3023
- Référence fabricant:
- IPU95R750P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 950V | |
| Series | IPU | |
| Package Type | PG-TO251-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.75Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 950V | ||
Series IPU | ||
Package Type PG-TO251-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.75Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS P7 technology focuses on the low power SMPS market. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reduci
Easy to drive and to design in
Better production yield by reducing ESD related failures
Less production issues and reduced field returns
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