Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin PG-TO251-3
- N° de stock RS:
- 273-7471
- Référence fabricant:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7471
- Référence fabricant:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | 800V CoolMOS P7 | |
| Package Type | PG-TO251-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series 800V CoolMOS P7 | ||
Package Type PG-TO251-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET has better production yield by reducing ESD related failures. This MOSFET has less production issues and reduced field returns and easy to select right parts for fine tuning of designs. It enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.
Fully optimized portfolio
Best in class performance
Easy to drive and to parallel
Integrated zener diode ESD protection
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