Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin PG-TO251-3

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N° de stock RS:
273-7471
Référence fabricant:
IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

800V CoolMOS P7

Package Type

PG-TO251-3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC for Industrial Applications, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET has better production yield by reducing ESD related failures. This MOSFET has less production issues and reduced field returns and easy to select right parts for fine tuning of designs. It enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

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