Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R1K0PFD7SAUMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

675,00 €

(TVA exclue)

825,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,27 €675,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-3009
Référence fabricant:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

26W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD pac

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning

Liens connexes