Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- N° de stock RS:
- 273-2784
- Référence fabricant:
- IPD046N08N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2784
- Référence fabricant:
- IPD046N08N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel 80V MOSFET. It is an ideal for high frequency switching and synchronous rectification. This MOSFET has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET qualified according to JEDEC1 for target application and halogen free according to IEC61249 2 21.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Excellent gate charge
Very low on resistance
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