Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 143 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD020N03LF2SATMA1
- N° de stock RS:
- 349-426
- Référence fabricant:
- IPD020N03LF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
20,89 €
(TVA exclue)
25,28 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 980 unité(s) expédiée(s) à partir du 31 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,089 € | 20,89 € |
| 100 - 240 | 1,984 € | 19,84 € |
| 250 + | 1,84 € | 18,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 349-426
- Référence fabricant:
- IPD020N03LF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 143A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 143A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 2 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.
General purpose products
Excellent robustness
Broad availability at distributors
Standard packages and pin out
High manufacturing and supply standards
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD023N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD030N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD040N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R600CM8XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R180CM8XTMA1