Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 16 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQSA82CENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8374
- Référence fabricant:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
462,00 €
(TVA exclue)
558,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 08 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,154 € | 462,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8374
- Référence fabricant:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W | |
| Series | SQS | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.073Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8W | ||
Series SQS | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.073Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device. That is single configuration MOSFET and surface mount type device.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQSA82CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS405CENW-T1_GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W
- Vishay SQS Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS181ELNW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS120ELNW-T1_GE3
- Vishay SQS840CENW N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS840CENW-T1_BE3