Vishay SQS840CENW N channel-Channel MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS840CENW-T1_BE3

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735-127
Référence fabricant:
SQS840CENW-T1_BE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SQS840CENW

Package Type

PowerPAK 1212-8W

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.3mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE
The Vishay Power MOSFET offers efficient, high-performance switching functionality tailored for automotive applications, delivering reliable operation under challenging conditions.

TrenchFET technology ensures excellent thermal performance

AEC-Q101 qualified for stringent automotive standards

Low on-resistance supports high current efficiency

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