Vishay SQ4840CEY Type N-Channel MOSFET, 20.7 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4840CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8357
- Référence fabricant:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- SQ4840CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQ4840CEY | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.012Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQ4840CEY | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.012Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
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