Vishay SQ4840CEY Type N-Channel MOSFET, 20.7 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4840CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8357
- Référence fabricant:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,28 €
(TVA exclue)
10,02 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 2 430 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,656 € | 8,28 € |
| 50 - 95 | 1,498 € | 7,49 € |
| 100 - 245 | 1,164 € | 5,82 € |
| 250 - 995 | 1,144 € | 5,72 € |
| 1000 + | 0,76 € | 3,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8357
- Référence fabricant:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQ4840CEY | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.012Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7.1W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQ4840CEY | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.012Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7.1W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
Liens connexes
- Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8 SQ4840CEY-T1_GE3
- Vishay Dual Silicon P-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8 SQ4401CEY-T1_GE3
- Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8SW SQRS140ELP-T1_GE3
- Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SO-8 SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin SO-8L SQJ740EP-T1_GE3
- Vishay SQ4940CEY Dual N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8 SQ4940CEY-T1_GE3
- Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay Quad Silicon P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SO-8 SQ4917CEY-T1_GE3