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Vishay N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 268-8347
Référence fabricant:: SISS5708DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 268-8347
Référence fabricant:: SISS5708DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	33.8 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	150 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	PowerPAK 1212-8S
	Mount Type	Surface

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 33.8 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 150 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type PowerPAK 1212-8S
	Mount Type Surface

Datasheet - SISS5708DN-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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