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Vishay Type N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 268-8347
Référence fabricant:: SISS5708DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Type N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	2,312 €	11,56 €
50 - 95	2,078 €	10,39 €
100 - 245	1,66 €	8,30 €
250 - 995	1,624 €	8,12 €
1000 +	1,244 €	6,22 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 268-8347
Référence fabricant:: SISS5708DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	PowerPAK 1212-8S
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Channel Mode	Enhancement

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type PowerPAK 1212-8S
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Channel Mode Enhancement

Datasheet - SISS5708DN-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Vishay Type N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

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