Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 58.1 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS588DN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 230,00 €

(TVA exclue)

1 500,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,41 €1 230,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-5404
Référence fabricant:
SiSS588DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.008Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N channel power MOSFET has drain current of 58.1 A. It is used for synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control, battery management

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes