Vishay Type N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8346
- Référence fabricant:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,761 € | 2 283,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8346
- Référence fabricant:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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