Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

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N° de stock RS:
268-8346
Référence fabricant:
SISS5708DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33.8 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent

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