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Vishay SiSS78LDN N-Channel MOSFET, 66.7 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3

N° de stock RS:: 210-5020
Référence fabricant:: SiSS78LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiSS78LDN N-Channel MOSFET, 66.7 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 210-5020
Référence fabricant:: SiSS78LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Series	SiSS78LDN
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	66.7 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	70 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	PowerPAK 1212-8S
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	1.1 V
	Height	830 μm
	Length	3.4 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	4.8 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	57 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	32 nC
	Width	3.4 mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Series SiSS78LDN
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 66.7 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 70 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type PowerPAK 1212-8S
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) 1.1 V
	Height 830 μm
	Length 3.4 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 4.8 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 57 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 32 nC
	Width 3.4 mm

Datasheet - SiSS78LDN-T1-GE3

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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