Vishay N-Channel MOSFET, 66.7 A, 70 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 210-5020
- Référence fabricant:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- N° de stock RS:
- 210-5020
- Référence fabricant:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 66.7 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 70 V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0048 Ω | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1 → 2.3V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 66.7 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 70 V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance 0.0048 Ω | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 1 → 2.3V | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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