Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9994
- Référence fabricant:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,075 € | 8,30 € |
| 60 - 96 | 1,558 € | 6,23 € |
| 100 - 236 | 1,383 € | 5,53 € |
| 240 - 996 | 1,353 € | 5,41 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9994
- Référence fabricant:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | 1212-8S | |
| Series | SISS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0126Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type 1212-8S | ||
Series SISS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0126Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
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