Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 40.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5112DN-T1-GE3

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279-9996
Référence fabricant:
SISS5112DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SISS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0149Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

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