Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 40.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5112DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9996
- Référence fabricant:
- SISS5112DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,896 € | 9,48 € |
| 50 - 95 | 1,612 € | 8,06 € |
| 100 - 245 | 1,432 € | 7,16 € |
| 250 - 995 | 1,404 € | 7,02 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9996
- Référence fabricant:
- SISS5112DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | 1212-8S | |
| Series | SISS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0149Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type 1212-8S | ||
Series SISS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0149Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
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