Vishay SIS9634LDN 4 Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS9634LDN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8344
- Référence fabricant:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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1 506,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,502 € | 1 506,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8344
- Référence fabricant:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Dual N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | SIS9634LDN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 60 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, UIS tested 100 percent | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Dual N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series SIS9634LDN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 60 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, UIS tested 100 percent | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay dual N channel TrenchFET 4 generation power MOSFET that is fully lead pb and halogen free device. It is optimized and ratio reduces switching related power loss and it is used in applications such as synchronous rectification, motor drive contr
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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