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Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

N° de stock RS:: 204-7259
Référence fabricant:: SISF06DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 617,00 €

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3000 +	0,539 €	1 617,00 €

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N° de stock RS:: 204-7259
Référence fabricant:: SISF06DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiSF06DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0045Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.73mm
	Length	3.3mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiSF06DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0045Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.73mm
	Length 3.3mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SISF06DN-T1-GE3

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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