Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 69.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS184LDN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8342
- Référence fabricant:
- SIS184LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8342
- Référence fabricant:
- SIS184LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 69.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SIS | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0054Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 69.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SIS | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0054Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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