Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 69.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS184LDN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 043,00 €

(TVA exclue)

2 472,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,681 €2 043,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
268-8341
Référence fabricant:
SIS184LDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

69.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0054Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Liens connexes