Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3

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268-8299
Référence fabricant:
SIHG150N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHG

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay E series power MOSFET which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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