Vishay E Series N channel-Channel MOSFET, 88 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG026N65E-GE3
- N° de stock RS:
- 735-279
- Référence fabricant:
- SIHG026N65E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 88A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | E Series | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.026Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 88A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series E Series | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.026Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IL
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