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Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3

N° de stock RS:: 268-8282
Référence fabricant:: SI9634DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 305,00 €

(TVA exclue)

1 578,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,435 €	1 305,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 268-8282
Référence fabricant:: SI9634DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Dual N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SO-8
	Series	SI9634DY
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	60V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested
	Number of Elements per Chip	4
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Dual N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SO-8
	Series SI9634DY
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 60V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested
	Number of Elements per Chip 4
	Automotive Standard No

The Vishay dual N channel TrenchFET 4 generation power MOSFET that is fully lead pb and halogen free device. It is optimized and ratio reduces switching related power loss and it is used in applications such as synchronous rectification, motor drive contr

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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