ROHM R6013VND3 NaN Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6013VND3TL1
- N° de stock RS:
- 265-5415
- Référence fabricant:
- R6013VND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,964 € | 9,82 € |
| 50 - 95 | 1,764 € | 8,82 € |
| 100 - 245 | 1,416 € | 7,08 € |
| 250 - 995 | 1,39 € | 6,95 € |
| 1000 + | 1,154 € | 5,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-5415
- Référence fabricant:
- R6013VND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | R6013VND3 NaN | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 131W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS NaN | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series R6013VND3 NaN | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 131W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS NaN | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
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