Références fabricant

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252

N° de stock RS:: 222-4903
Référence fabricant:: IPDD60R190G7XTMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 1700 unités)*

1 649,00 €

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1 989,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1700 +	0,97 €	1 649,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 222-4903
Référence fabricant:: IPDD60R190G7XTMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD50R
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	76W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	21.11mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.35 mm
	Length	6.6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-252
	Series IPD50R
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 76W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 21.11mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.35 mm
	Length 6.6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPDD60R190G7XTMA1

The Infineon technologies introduces Double DPAK (DDPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The benefits of the already existing high voltage technology 600V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFET is combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.

Enabling highest energy efficiency

Thermal decoupling of board and semiconductor allows to overcome thermal PCB limits

Reduced parasitic source inductance improves efficiency and ease-of-use

Enables higher power density solutions

Exceeding the highest quality standards

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252

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