Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRLU3410PBF
- N° de stock RS:
- 262-6788
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-684
- Référence fabricant:
- IRLU3410PBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
3,66 €
(TVA exclue)
4,43 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 610 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,366 € | 3,66 € |
| 100 - 240 | 0,347 € | 3,47 € |
| 250 - 490 | 0,332 € | 3,32 € |
| 500 - 990 | 0,318 € | 3,18 € |
| 1000 + | 0,307 € | 3,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-6788
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-684
- Référence fabricant:
- IRLU3410PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fast switching
Fully avalanche rated
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF530NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRPBF
