Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 3000 unités)*

1 203,00 €

(TVA exclue)

1 455,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
3000 - 30000,401 €1 203,00 €
6000 +0,381 €1 143,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
262-6787
Référence fabricant:
IRLU3410PBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

Liens connexes