Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- N° de stock RS:
- 262-6787
- Référence fabricant:
- IRLU3410PBF
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 262-6787
- Référence fabricant:
- IRLU3410PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fast switching
Fully avalanche rated
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