Références fabricant

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

N° de stock RS:: 262-6776
Numéro d'article Distrelec:: 304-41-680
Référence fabricant:: IRFU3910PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

Actuellement indisponible

Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.

N° de stock RS:: 262-6776
Numéro d'article Distrelec:: 304-41-680
Référence fabricant:: IRFU3910PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-251
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	115mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.22mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	6.73mm
	Height	2.39mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-251
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 115mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.22mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 6.73mm
	Height 2.39mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFU3910PBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.