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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

N° de stock RS:: 262-6776
Numéro d'article Distrelec:: 304-41-680
Référence fabricant:: IRFU3910PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

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10 - 90	0,605 €	6,05 €
100 - 240	0,575 €	5,75 €
250 - 490	0,551 €	5,51 €
500 - 990	0,526 €	5,26 €
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N° de stock RS:: 262-6776
Numéro d'article Distrelec:: 304-41-680
Référence fabricant:: IRFU3910PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-251
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	115mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Height	2.39mm
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-251
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 115mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Height 2.39mm
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFU3910PBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

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