Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 3000 unités)*

1 059,00 €

(TVA exclue)

1 281,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité
Prix par unité
le tube*
3000 +0,353 €1 059,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
262-6775
Référence fabricant:
IRFU3910PBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Height

2.39mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

Liens connexes