Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3910TRLPBF
- N° de stock RS:
- 222-4753
- Référence fabricant:
- IRFR3910TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
11,94 €
(TVA exclue)
14,44 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 20 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 6 280 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,597 € | 11,94 € |
| 100 - 180 | 0,496 € | 9,92 € |
| 200 - 480 | 0,466 € | 9,32 € |
| 500 - 980 | 0,431 € | 8,62 € |
| 1000 + | 0,409 € | 8,18 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4753
- Référence fabricant:
- IRFR3910TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 110V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.12mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.39 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 110V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.39 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR7540TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-252 IRFR3410TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252