Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -11 A, -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRLPBF
- N° de stock RS:
- 262-6770
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-678
- Référence fabricant:
- IRFR9024NTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
16,90 €
(TVA exclue)
20,45 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 09 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,676 € | 16,90 € |
| 125 - 225 | 0,642 € | 16,05 € |
| 250 - 600 | 0,616 € | 15,40 € |
| 625 - 1225 | 0,588 € | 14,70 € |
| 1250 + | 0,372 € | 9,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-6770
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-678
- Référence fabricant:
- IRFR9024NTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 175mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 175mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
Fast switching
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR9024NTRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5505TRPBF