Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -11 A, -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRLPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

16,90 €

(TVA exclue)

20,45 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 1000,676 €16,90 €
125 - 2250,642 €16,05 €
250 - 6000,616 €15,40 €
625 - 12250,588 €14,70 €
1250 +0,372 €9,30 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-6770
Référence fabricant:
IRFR9024NTRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

175mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-678

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fully avalanche rated

Fast switching

Liens connexes