Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -11 A, -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 262-6769
- Référence fabricant:
- IRFR9024NTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,282 € | 846,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-6769
- Référence fabricant:
- IRFR9024NTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 175mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 175mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
Fast switching
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