Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024NTRPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

11,925 €

(TVA exclue)

14,425 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 1000,477 €11,93 €
125 - 2250,453 €11,33 €
250 - 6000,434 €10,85 €
625 - 12250,415 €10,38 €
1250 +0,262 €6,55 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-6764
Numéro d'article Distrelec:
304-41-676
Référence fabricant:
IRFL024NTRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Fasts switching

Fully avalanche rated

Liens connexes