Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 26 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4227PBF

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N° de stock RS:
262-6757
Référence fabricant:
IRFI4227PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

304-41-674

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is specifically designed for sustain energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating.

150 degree Celsius operating junction temperature

High repetitive peak current capability

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