Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:
262-6745
Référence fabricant:
IRFB260NPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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