Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4227PBF

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650-4277
Référence fabricant:
IRFB4227PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.66mm

Standards/Approvals

No

Height

9.02mm

Width

4.82mm

Automotive Standard

No

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon


Motor Control MOSFET


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Synchronous Rectifier MOSFET


A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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