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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4227PBF

N° de stock RS:: 650-4277
Référence fabricant:: IRFB4227PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4227PBF

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N° de stock RS:: 650-4277
Référence fabricant:: IRFB4227PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	330W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.02mm
	Width	4.82 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.66mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 330W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.02mm
	Width 4.82 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.66mm
	Automotive Standard No

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