Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 262-6751
- Référence fabricant:
- IRFI1310NPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 2000 unités)*
1 498,00 €
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1 812,00 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,749 € | 1 498,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-6751
- Référence fabricant:
- IRFI1310NPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.036Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.036Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
High voltage isolation 2.5KVRMS
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