Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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145-8608
Référence fabricant:
IRFB4020PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.66mm

Width

4.82 mm

Height

9.02mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Digital Audio MOSFET, Infineon


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