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STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 64 A, 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT SH68N65DM6AG

N° de stock RS:: 261-5479
Référence fabricant:: SH68N65DM6AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 64 A, 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT SH68N65DM6AG

Sous-total (1 bobine de 200 unités)*

5 609,60 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
200 +	28,048 €	5 609,60 €

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N° de stock RS:: 261-5479
Référence fabricant:: SH68N65DM6AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	ACEPACK SMIT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	116nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type ACEPACK SMIT
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 116nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SH68N65DM6AG

Pays d'origine :: PH

The STMicroelectronics combination of two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy assembly. The DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost, and single switch through different combinations of the internal power switches.

Half bridge power module

650 V blocking voltage

Fast recovery body diode

Very low switching energies

Low package inductance

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