Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 382 A, 24 V, 3-Pin TO-262 AUIRF1324WL

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260-5055
Référence fabricant:
AUIRF1324WL
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

382A

Maximum Drain Source Voltage Vds

24V

Series

HEXFET

Package Type

TO-262

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

84nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

9.65mm

Height

4.83mm

Width

10.67mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon Widelead HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. It features175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

Advanced process technology

Ultra low on resistance

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

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