Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V TO-262 IRFS4127TRLPBF

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257-5836
Référence fabricant:
IRFS4127TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-262

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.6mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

High efficiency synchronous rectification in SMPS

Uninterruptible power supply

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