Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V TO-262 IRF2804STRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9281
- Référence fabricant:
- IRF2804STRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9281
- Référence fabricant:
- IRF2804STRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 40V single n channel power mosfet in a TO 220 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard through-hole power package
High current rating
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