Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V TO-262

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

816,80 €

(TVA exclue)

988,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +1,021 €816,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9280
Référence fabricant:
IRF2804STRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

270A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

TO-262

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 40V single n channel power mosfet in a TO 220 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard through-hole power package

High current rating

Liens connexes