Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V TO-262

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 344,80 €

(TVA exclue)

1 627,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 30 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +1,681 €1 344,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-5554
Référence fabricant:
IRFS4127TRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-262

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.6mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

High efficiency synchronous rectification in SMPS

Uninterruptible power supply

Liens connexes