Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF
- N° de stock RS:
- 258-3972
- Référence fabricant:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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| 100 - 198 | 1,78 € | 3,56 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3972
- Référence fabricant:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6mm | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Increased power density
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