Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF
- N° de stock RS:
- 258-3972
- Référence fabricant:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-3972
- Référence fabricant:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6mm | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Increased power density
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