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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF

N° de stock RS:: 258-3972
Référence fabricant:: IRFH8303TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF

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20 - 48	1,62 €	3,24 €
50 - 98	1,51 €	3,02 €
100 - 198	1,42 €	2,84 €
200 +	1,32 €	2,64 €

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N° de stock RS:: 258-3972
Référence fabricant:: IRFH8303TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	280A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5 mm
	Height	0.9mm
	Length	6mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 280A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5 mm
	Height 0.9mm
	Length 6mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH8303TRPBF

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Increased power density

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF

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