Références fabricant

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC123N08NS3GATMA1

N° de stock RS:: 754-5301
Numéro d'article Distrelec:: 304-35-439
Référence fabricant:: BSC123N08NS3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC123N08NS3GATMA1

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

8,82 €

(TVA exclue)

10,67 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 18 janvier 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	1,764 €	8,82 €
50 - 245	1,49 €	7,45 €
250 - 1245	1,166 €	5,83 €
1250 - 2495	0,812 €	4,06 €
2500 +	0,77 €	3,85 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 754-5301
Numéro d'article Distrelec:: 304-35-439
Référence fabricant:: BSC123N08NS3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	66W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5.35mm
	Width	6.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 66W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals No
	Length 5.35mm
	Width 6.1mm
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.