Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 85 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD85P04P4L06ATMA2

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229-1835
Référence fabricant:
IPD85P04P4L06ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel logic level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.

It is RoHS compliant and AEC qualified

It has 175°C operating temperature

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