Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 85 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD85P04P4L06ATMA2
- N° de stock RS:
- 229-1835
- Référence fabricant:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
11,80 €
(TVA exclue)
14,30 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 4 930 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,18 € | 11,80 € |
| 50 - 90 | 1,121 € | 11,21 € |
| 100 - 240 | 1,074 € | 10,74 € |
| 250 - 490 | 1,027 € | 10,27 € |
| 500 + | 0,957 € | 9,57 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 229-1835
- Référence fabricant:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon n channel logic level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.
It is RoHS compliant and AEC qualified
It has 175°C operating temperature
Liens connexes
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2