Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -73 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P409ATMA2

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

3,30 €

(TVA exclue)

4,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 230 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 181,65 €3,30 €
20 - 481,485 €2,97 €
50 - 981,395 €2,79 €
100 - 1981,285 €2,57 €
200 +1,195 €2,39 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-3862
Référence fabricant:
IPD70P04P409ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-73A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability


Liens connexes