Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB180P04P403ATMA2

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258-3805
Référence fabricant:
IPB180P04P403ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

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