Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180P04P4L02ATMA2

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

17,24 €

(TVA exclue)

20,86 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 945 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 203,448 €17,24 €
25 - 453,104 €15,52 €
50 - 1202,896 €14,48 €
125 - 2452,69 €13,45 €
250 +2,518 €12,59 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
229-1821
Référence fabricant:
IPB180P04P4L02ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon p channel logic level MOSFET has highest current capability and 100 percent avalanche tested. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and reverse battery protection.

It is RoHS compliant and AEC qualified

It has 175°C operating temperature

It is robust package

Liens connexes