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Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263 IPB180N10S403ATMA1

N° de stock RS:: 258-3803
Référence fabricant:: IPB180N10S403ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263 IPB180N10S403ATMA1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 258-3803
Référence fabricant:: IPB180N10S403ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	108nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB180N10S403ATMA1

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

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