Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement TO-263

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 458,00 €

(TVA exclue)

1 764,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 02 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,458 €1 458,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3804
Référence fabricant:
IPB180P04P403ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Liens connexes